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发布时间：2019-05-08
答辩人1
黄志锋
论文标题
基于高通量第一性原理对Cu晶界掺杂效应的研究
指导老师
张联盟教授
答辩时间
2019年05月11日上午8:00-9:00
答辩人2
王进
基于PLD技术的石墨烯薄膜生长制备及其光、电性能研究
沈强研究员
2019年05月11日上午10:00-11:00
学科类别
材料科学与工程
学院
材料学院
答辩地点
武汉理工大学会议中心 104会议室
答辩委员会
主席
陈大明教授/博导北京航空材料研究院
委员
张伟儒教授级高工中材高新材料股份有限公司
邓承继教授/博导武汉科技大学
程晓敏教授/博导武汉理工大学
涂 溶教授/博导武汉理工大学
秘书
李美娟副教授/硕导武汉理工大学
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